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  命运方舟 疯狂军团长副本快上线了,这是一个超级难的副本,对玩家的配合和伤害都有一定的要求,那么命运方舟疯狂军团长P3四门 小游戏 怎么打?下面就给大家带来命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏打法攻略。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  五芒星光阵

  当BOSS到达一定的血量时将会触发小游戏机制,在触发该机制时,必须要有一名玩家通过增长疯狂值变成小丑才能进入游戏,场地中会出现五芒星光阵可进入,普通状态玩家进入会直接死亡。当一定时间内没有玩家进入小游戏则会直接触发灭团,每名玩家只能进入一次小游戏。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  外面的一名玩家将受到疯狂诅咒,以小丑图标表示。该玩家需要告知正在进行小游戏的队友图标的颜色。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  里面的玩家必须只破坏相同颜色的球。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  你需要摧毁3个相同颜色的球来解除队友的诅咒。如果你摧毁了不同颜色的球,它会击晕并伤害你。小游戏控制一旦玩家进入内部,技能将更改为以下 2 个技能:

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  Q技能:粉碎之锤,摧毁敌人和彩球。

  W技能: 跳跃 。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  1门小游戏

  进入小游戏的玩家需要在2D 横版 的地图中1分钟内打破小游戏外队友debuff相应的球,最后通过末尾的传送门来逃脱,打破错误的球会受到伤害和眩晕,在小游戏中无法使用恢复药水,如果在小游戏中死亡也会直接判定死亡,小游戏地图中坠落也会判定为死亡,需要玩家对游戏的把控。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  被禁锢的玩家

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  齿轮机关

  小游戏外的三名玩家进行解救机制,BOSS会随机禁锢一名玩家,另外的两名玩家需要穿过地图上危险的齿轮机关到达地图的另一端,打破BOSS的瘫痪条即可解救被困玩家,但禁锢开始时BOSS会释放向禁锢玩家 移动 的齿轮,场地上被齿轮触碰的玩家会被直接秒杀,需要注意,随着小游戏的升级,解救阶段的机关也会越复杂。

  小游戏流程解析

  一门小游戏

  一门小游戏较简单,只有一条较短的路线,需要注意平台切换时一定要使用交互 按键 ,直接跳下会被秒杀。

  二门小游戏

  二门相对一门多了两个导弹,一个是低空导弹,另一个是高空导弹,对应低空需要跳跃,高空直接走就可以,平台交互是是无敌状态,当在上平台时需要注意终点是否有低空导弹经过避免击落秒杀。

  三门小游戏

  进入三门需要注意第一个平台的小球,需要在小球砸的瞬间马上起跳再跳到下个平台,避免被小球击落,在交互平台的导弹非常密集需要注意,时间不是特别赶的情况下,推荐清理平台上的小兵,被导弹眩晕后容易被三个小兵秒杀。

  四门小游戏

  四门需要注意上下路两条路线,在观察上路平台是否有对应小球出现,有就通过交互转上,没有就在下路直走就可以,路线就在能看到的小球交互平台。

  解救机制解析

  一门小游戏解救

  玩家需要穿过五个上下移动的齿轮来到达另一侧打断BOSS,触碰到齿轮会被直接秒杀、

  推荐解法:齿轮移动为下上下上下,其中第三个齿轮移动速度比较缓慢,通常开局后注意第一个齿轮的位置,有空隙就直接穿过第一第二个齿轮到达中间的第三个齿轮,随后观察第四个齿轮上来的位置,直接空格从第五齿轮的空隙中通过。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  二门小游戏解救

  玩家需要穿过场地中移动的钩子来到达另一侧打断BOSS,被钩子命中会被拖到地图的边缘。

  推荐解法:在不同方向飞来的钩子会固定有空隙通过,注意钩子飞来的方向,可以沿着下方边缘移动。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  三门小游戏解救

  玩家需要穿过场地中移动的钩子和齿轮组合来到达另一侧打断BOSS。

  推荐解法:同一门的解法一样但需要注意场地中钩子的移动位置。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

  四门小游戏解救

  玩家需要穿过场地中移动的钩子和齿轮组合来到达另一侧开启机关然后打断BOSS。

  推荐解法:四门的齿轮移动不再是上下纵向,而是横向移动,开局直接向上方移动,通过上方移动到小丑的位置,注意躲避钩子即可,到达小丑位置后开启机关进入打字机,在打字机结束后还要再拉动一次机关。

命运方舟疯狂军团长P3四门小游戏怎么打【详解】

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。